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SiC專(zhuān)題
發(fā)表于：10/9/2018 5:31:00 PM
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新一代功率器件動(dòng)向：SiC和GaN
發(fā)表于：9/28/2018 9:22:41 PM
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5G和交通電氣化的核心是SiC和GaN功率射頻器件
發(fā)表于：9/28/2018 9:15:53 PM
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電動(dòng)汽車(chē)的碳化硅(SiC)功率和GaN功率
發(fā)表于：9/28/2018 9:11:23 PM
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從產(chǎn)品到應(yīng)用,，GaN（氮化鎵）將成為功率半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展新動(dòng)力
發(fā)表于：9/28/2018 9:05:56 PM
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一張圖看懂氮化鎵GaN功率元件市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)
發(fā)表于：9/28/2018 8:49:32 PM
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寬禁帶功率半導(dǎo)體受重視,，產(chǎn)業(yè)發(fā)展該如何推動(dòng),？
發(fā)表于：9/28/2018 8:04:29 PM
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簡(jiǎn)析第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展進(jìn)展
發(fā)表于：9/28/2018 11:24:27 AM
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AI 社區(qū)有多排外,？「外行人」觀點(diǎn)引發(fā)爭(zhēng)議
發(fā)表于：8/31/2018 5:52:23 PM
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學(xué)界 | 把醬油瓶放進(jìn)菜籃子：UC Berkeley提出高度逼真的物體組合網(wǎng)絡(luò)Compositional GAN
發(fā)表于：8/4/2018 8:14:06 PM
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GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模暴增
發(fā)表于：7/23/2018 9:11:03 AM
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評(píng)估測(cè)量高速GaN晶體管的技術(shù)
發(fā)表于：7/13/2018 9:52:30 PM
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納微半導(dǎo)體：GaN技術(shù)領(lǐng)域的后來(lái)者有多少機(jī)會(huì)
發(fā)表于：7/4/2018 5:00:00 AM
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硅基GaN為固態(tài)射頻能量應(yīng)用帶來(lái)更多可能
發(fā)表于：3/29/2018 6:01:00 AM
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GaN是5G最好選擇 手機(jī)端應(yīng)用現(xiàn)實(shí)嗎
發(fā)表于：3/23/2018 5:00:00 AM
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5G和交通電氣化的核心是SiC和GaN功率射頻器件
發(fā)表于：3/19/2018 9:01:00 AM
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憑借GaN功率IC，納微半導(dǎo)體將筆記本電源縮小至1/5
發(fā)表于：9/28/2017 11:21:00 AM
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TI GaN功率設(shè)計(jì)可驅(qū)動(dòng)200 V交流伺服驅(qū)動(dòng)器和機(jī)器人,，效率達(dá)99％
發(fā)表于：6/29/2017 6:53:00 PM
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ADI收購(gòu)OneTree Microdevices
發(fā)表于：3/31/2017 11:04:00 AM
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站在SiC成熟期“元年” 解讀各國(guó)的戰(zhàn)略部署
發(fā)表于：3/9/2017 5:00:00 AM
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日研究團(tuán)隊(duì)制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET
發(fā)表于：2/24/2017 6:00:00 AM
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三安光電有望超越晶電成為L(zhǎng)ED芯片新霸主
發(fā)表于：1/3/2017 9:21:00 AM
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5G基站射頻市場(chǎng) LDMOS開(kāi)始下滑 GaN快速增長(zhǎng)
發(fā)表于：9/5/2016 5:00:00 AM
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TI模擬帝國(guó)的過(guò)去,、現(xiàn)在和未來(lái)
發(fā)表于：7/6/2016 4:07:00 PM
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GaN解決二極管反向恢復(fù)問(wèn)題
發(fā)表于：6/8/2016 4:56:00 PM
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MACOM引入全新300W塑封氮化鎵功率晶體管
發(fā)表于：6/3/2016 10:51:00 PM
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英國(guó)專(zhuān)家用半極性GaN生長(zhǎng)高效益LED
發(fā)表于：3/4/2016 9:05:00 AM
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S波段E類(lèi)功率放大器的設(shè)計(jì)
發(fā)表于：6/1/2015 7:25:00 PM
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英飛凌和松下聯(lián)合開(kāi)發(fā)GaN技術(shù)
發(fā)表于：3/11/2015 9:05:00 AM
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基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
發(fā)表于：5/4/2012 3:14:17 PM
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