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Vishay的新款80 V對稱雙通道 MOSFET的RDS(ON)達到業(yè)內(nèi)先進水平

　　美國賓夕法尼亞 MALVERN,、中國上海 — 2024年3月14日 —日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT,，將高邊和低邊TrenchFET® Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應用功率轉(zhuǎn)換,，在提高功率密度和能效的同時,，增強熱性能，減少元器件數(shù)量并簡化設計,。

發(fā)表于：3/25/2024

e絡盟開售Traco Power 5-50瓦緊湊型封裝TMPW系列產(chǎn)品

　　中國上海,，2024年3月13日—安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡盟現(xiàn)貨發(fā)售Traco Power的TMPW 系列超緊湊型直流,、交流電源。

發(fā)表于：3/25/2024

Vishay推出升級版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外收發(fā)器模塊

　　美國賓夕法尼亞 MALVERN,、中國上海 — 2024年3月13日 — 日前,，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出適于IrDA®應用的升級版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外（IR）收發(fā)器模塊,，鏈路距離延長20 %,，抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2 kbit/s 數(shù)據(jù)速率（SIR）,，鏈路距離為1米,，適用于能量表和監(jiān)控器、工業(yè)自動化控制,、手機和醫(yī)療設備無線通信和數(shù)據(jù)傳輸,。為提高便攜式設備電池使用壽命，模塊降低了功耗,，閑置供電電流 < 70 μA,，關(guān)斷模式 < 1 μA。

發(fā)表于：3/25/2024

SK海力士展示新一代GDDR7顯存

據(jù)媒體報道,，SK海力士近期展出的GDDR7顯存無疑成為了業(yè)界關(guān)注的焦點,。據(jù)悉，SK海力士的GDDR7顯存容量涵蓋16-24Gb,，傳輸速度可達40Gbps,，比三星所展出的GDDR7顯存快8Gbps，并且可以提供160GB/s的顯存帶寬,。這意味著在相同時間內(nèi),，SK海力士的GDDR7顯存可以處理更多數(shù)據(jù)，從而大大提升顯卡的整體性能,。

發(fā)表于：3/25/2024

長江存儲QLC閃存已做到4000次PE的超長壽命

發(fā)表于：3/25/2024

2024年全球半導體材料市場將同比增11%

半導體材料市場信息咨詢公司TECHCET 預測今年全球半導體材料市場將出現(xiàn)反彈,。2023年整體半導體行業(yè)環(huán)境低迷，同比下降6%后,，隨著形勢轉(zhuǎn)好,，2024年預計將增長近7%。 TECHCET預計半導體材料行業(yè)的收入在未來5年期間將持續(xù)增長,，2028年的年銷售額預計將超過880億美元,。

發(fā)表于：3/25/2024

首個國產(chǎn)單池萬卡液冷算力集群正式啟用

3月24日消息，中國電信官方宣布,，首個國產(chǎn)單池萬卡液冷算力集群,，天翼云上海臨港國產(chǎn)萬卡算力池正式啟用，首批用戶也同時入駐。據(jù)介紹,，這不僅是國內(nèi)首個投入正式運營的國產(chǎn)單池萬卡液冷算力集群,，也是業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的全國產(chǎn)化云智一體公共智算中心。該集群采用新一代國產(chǎn)AI算力,，通過高速RDMA連接各物理機節(jié)點,，提供低延時、高吞吐量,、無損通信網(wǎng)絡和強大的并行計算能力,，多項技術(shù)指標領(lǐng)跑全國。該集群還最高可支持萬億參數(shù)大模型,，滿足AI計算,、深度學習,、圖形渲染等復雜訓練任務對算力的要求,。有機構(gòu)認為，雙碳背景下,，IDC綠色化是大勢所趨,，液冷或是散熱技術(shù)演變的必經(jīng)之路，隨著PUE要求不斷嚴格,，液冷散熱優(yōu)勢逐漸凸顯,，無論是IDC新建需求還是存量改造需求，液冷均有望成為首選,。

發(fā)表于：3/25/2024

SK海力士將斥資900億美元打造全新半導體生產(chǎn)設施

3月24日消息,，據(jù)媒體報道，SK海力士計劃在韓國京畿道中部的龍仁市投資興建一座龐大的半導體生產(chǎn)園區(qū),，耗資至少120萬億韓元（約合907億美元）,。據(jù)悉，新的半導體生產(chǎn)園區(qū)包括四座獨立的晶圓廠,，將成為全球范圍內(nèi)規(guī)模最大的三層晶圓廠,。 SK海力士于2019年公布開發(fā)計劃，但由于許可問題,，開發(fā)被推遲,。SK海力士表示，通過中央和地方政府以及企業(yè)2022年達成的協(xié)議,，這項計劃已獲得進展,。

發(fā)表于：3/25/2024

IBM2024年將發(fā)力混合云和AI,，加碼大模型落地B端

IBM2024年將發(fā)力混合云和AI，加碼大模型落地B端

發(fā)表于：3/25/2024

楊光磊：中國半導體產(chǎn)業(yè)將自成體系,，但難與全球生態(tài)競爭！

楊光磊：中國半導體產(chǎn)業(yè)將自成體系，但難與全球生態(tài)競爭,！ 3月22日,，前臺積電研發(fā)處處長楊光磊在中國臺灣科學及技術(shù)委員會“科學、民主與社會研究中心”（DSET）主辦的《供應鏈重組與經(jīng)濟安全》國際論壇上表示,，中國面對美國對于半導體產(chǎn)業(yè)的出口管制必須自主發(fā)展,，但是需多少時間才能完全自主還不清楚，可能需要幾十年才能自成體系,。近年來,，在官方支持及內(nèi)部需求的推動之下，中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,。即便是在美國聯(lián)合日本,、荷蘭持續(xù)通過限制半導體設備出口來阻礙中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進程，中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也仍未止步,。

發(fā)表于：3/25/2024

漢高攜新品亮相SEMICON China 2024

2024年3月21日,漢高粘合劑電子事業(yè)部亮相一年一度的半導體和電子行業(yè)年度盛會SEMICON China,帶來眾多創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案,包括車規(guī)級高性能芯片粘接膠樂泰ABLESTIK ABP 6392TEA,、毛細底部填充膠樂泰® Eccobond UF 9000AE,以及一系列先進封裝材料、芯片粘接膠/膜解決方案等,從而以前沿材料科技助推半導體封裝行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展,。

發(fā)表于：3/22/2024

德國PVA TePla集團展示"中國版“”碳化硅晶體生長設備“SiCN”

024年3月20日,，半導體行業(yè)盛會 SEMICON China 2024啟幕，全球高端半導體設備制造商德國PVA TePla集團再次亮相,，并向行業(yè)展示其最新打造的國產(chǎn)碳化硅晶體生長設備“SiCN”,。

發(fā)表于：3/22/2024

中國第四代半導體新突破：6英寸氧化鎵單晶實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

中國第四代半導體新突破：6英寸氧化鎵單晶實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化 3月21日消息，近日,，杭州鎵仁半導體有限公司宣布,，公司聯(lián)合浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室,。采用自主開創(chuàng)的鑄造法,，成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片,。

發(fā)表于：3/22/2024

聯(lián)發(fā)科推出ASIC設計平臺進軍共封裝光學領(lǐng)域

聯(lián)發(fā)科推出ASIC設計平臺進軍共封裝光學領(lǐng)域 3 月 21 日消息,，聯(lián)發(fā)科昨日宣布攜手光通信廠商 Ranovus 推出新一代共封裝光學（CPO）ASIC 設計平臺，提供異質(zhì)整合高速電子與光學型號的 I / O 解決方案,。案,。"

發(fā)表于：3/22/2024

美光預估AI時代旗艦手機DRAM內(nèi)存用量將提升50%~100%

3 月 21 日消息,，在美光近日舉行的季度財報電話會議上，美光 CEO 桑杰?梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）表示 AI 時代旗艦手機的 DRAM 內(nèi)存用量將大幅提升,。他表示：" 我們預計 AI 手機的 DRAM 含量將比當今的非 AI 旗艦手機高出 50% 到 100%" 目前,，大部分安卓旗艦手機均可選 12 或 16GB 的內(nèi)存，同時 24GB 內(nèi)存配置也不在少數(shù),；蘋果陣營和少部分安卓旗艦款式則維持了 8GB 的最大內(nèi)存容量,。

發(fā)表于：3/22/2024