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基于SIP技術(shù)的固態(tài)硬盤電路設(shè)計(jì)

存儲(chǔ)系統(tǒng)小型化,、高性能需求與日俱增，為此設(shè)計(jì)了一款基于SiP技術(shù)的固態(tài)硬盤電路,，用于驗(yàn)證存儲(chǔ)系統(tǒng)SiP電路的可行性,。該SiP電路內(nèi)部以SSD控制模塊為核心處理單元，集成了用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的NAND顆粒,、用于固件存儲(chǔ)的SPI Flash以及電源管理等元器件,。在搭建的軟硬件平臺(tái)上進(jìn)行底層ATA指令驗(yàn)證以及與傳統(tǒng)分離式存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)比性能測(cè)試，證明了應(yīng)用SiP技術(shù)的存儲(chǔ)系統(tǒng)具備高性能,、小型化,、低功耗等諸多優(yōu)勢(shì)，為后續(xù)SiP存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證奠定了一定的技術(shù)基礎(chǔ),。

發(fā)表于：3/20/2024

一種高效能可重構(gòu)1 024位大數(shù)乘法器的設(shè)計(jì)

在SM9加密等算法中經(jīng)常使用大數(shù)乘法,，為了解決大數(shù)乘法中關(guān)鍵電路延遲過(guò)高、能耗過(guò)大的問(wèn)題,，設(shè)計(jì)了一種基于流水線的可重構(gòu)1 024位乘法器,。使用64位乘法單元和128位先行進(jìn)位加法單元，分20個(gè)周期流水產(chǎn)生最終結(jié)果,，緩解了傳統(tǒng)乘法器中加法部分的延時(shí),，實(shí)現(xiàn)電路復(fù)用，有效減小能耗,。在SMIC 0.18 μm工藝庫(kù)下,，關(guān)鍵電路延遲2.5 ns，電路面積7.03 mm2 ,，能耗576 mW,。

發(fā)表于：3/20/2024

基于負(fù)載追蹤補(bǔ)償?shù)拇箅娏鱈DO設(shè)計(jì)

提出一種有效提升大電流輸出應(yīng)用的低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）環(huán)路穩(wěn)定性的技術(shù)，采用負(fù)載追蹤補(bǔ)償方式消除電路輸出端與負(fù)載相關(guān)的極點(diǎn)對(duì)環(huán)路穩(wěn)定性的影響,，且在維持環(huán)路低頻增益不變的前提下降低高頻下環(huán)路中節(jié)點(diǎn)阻抗,，從而達(dá)到同時(shí)提升輸出精度和優(yōu)化瞬態(tài)響應(yīng)性能的目的。采用TSMC 0.18 µm BCD工藝進(jìn)行仿真驗(yàn)證,，結(jié)果表明電路最大輸出電流6 A,，在6 A/6 μs的負(fù)載突變情況下輸出電壓下沖為36.6 mV,，過(guò)沖為35.3 mV，穩(wěn)定時(shí)間小于56.3 μs,。全負(fù)載電流范圍內(nèi),，瞬態(tài)性能大幅提升。

發(fā)表于：3/20/2024

硅半導(dǎo)體γ劑量率監(jiān)測(cè)儀研發(fā)及應(yīng)用

硅半導(dǎo)體γ劑量率監(jiān)測(cè)儀廣泛應(yīng)用于核設(shè)施的放射性測(cè)量,，基于目前正在開(kāi)展的國(guó)產(chǎn)化研發(fā)項(xiàng)目,，對(duì)硅半導(dǎo)體γ劑量率監(jiān)測(cè)儀的總體設(shè)計(jì)研發(fā)、儀表主要硬件設(shè)計(jì),、軟件功能設(shè)計(jì)進(jìn)行了介紹,，同時(shí)對(duì)硅半導(dǎo)體和氣體探測(cè)器主要技術(shù)參數(shù)進(jìn)行了對(duì)比，自主研發(fā)的硅半導(dǎo)體γ劑量率監(jiān)測(cè)儀可滿足不同堆型眾多場(chǎng)景劑量率監(jiān)測(cè)的要求,，具有良好的應(yīng)用前景,。

發(fā)表于：3/20/2024

亞智科技 RDL先進(jìn)制程加速全球板級(jí)封裝部署和生產(chǎn)

化學(xué)濕制程、電鍍及自動(dòng)化設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)供應(yīng)商Manz亞智科技,，以RDL不斷精進(jìn)的工藝布局半導(dǎo)體封裝市場(chǎng),。日前，Manz擴(kuò)大RDL 研發(fā)版圖,，聚焦于高密度的玻璃通孔及內(nèi)接導(dǎo)線金屬化工藝,，并將技術(shù)應(yīng)用于下一代半導(dǎo)體封裝的TGV玻璃芯基材，能夠達(dá)到更高的封裝效能及能源傳遞效率外,，還可透過(guò)板級(jí)制程,，滿足高效率和大面積的生產(chǎn)，從而降低生產(chǎn)成本,。

發(fā)表于：3/20/2024

消息稱臺(tái)積電今年著力提升3nm產(chǎn)能

3 月 19 日消息,，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電今年將全力擴(kuò)增 3nm 產(chǎn)能,，預(yù)計(jì)年底前該工藝的利用率將提升至 80%,。臺(tái)積電 3nm 制程技術(shù)已拿下蘋果、高通,、聯(lián)發(fā)科等大廠的訂單,，業(yè)界預(yù)期臺(tái)積電還將轉(zhuǎn)移部分 5nm 產(chǎn)能至該節(jié)點(diǎn)以滿足客戶需求，這意味著臺(tái)積電在 3nm 制程世代完勝三星,、英特爾等競(jìng)爭(zhēng)企業(yè),。展望未來(lái) 2nm 制程世代，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將從 2025 年開(kāi)始提供相關(guān)晶圓代工服務(wù),，總共涉及至少五座廠區(qū)。臺(tái)積電總裁魏哲家先前在財(cái)報(bào)會(huì)議上表示,，全球主要大廠中僅有一家不是臺(tái)積電 2nm 制程客戶,。外界推測(cè)這一客戶指的是三星電子,，但總體看來(lái)，臺(tái)積電仍將在 2nm 制程世代占據(jù)優(yōu)勢(shì),。

發(fā)表于：3/20/2024

臺(tái)積電和英特爾供應(yīng)商推遲在美國(guó)亞利桑那州建廠

3 月 19 日消息,，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，由于建筑成本上升和勞動(dòng)力短缺,，臺(tái)積電和英特爾的五家供應(yīng)商推遲或縮減了其在亞利桑那州的建設(shè)項(xiàng)目,。這一挫折與供應(yīng)商最初的計(jì)劃背道而馳，此前他們計(jì)劃跟隨英特爾和臺(tái)積電在該州新建芯片生產(chǎn)設(shè)施的計(jì)劃進(jìn)行建設(shè),。臺(tái)積電和英特爾供應(yīng)商推遲在美國(guó)亞利桑那州建廠

發(fā)表于：3/20/2024

AI大模型催生海量算力需求 HBM正進(jìn)入黃金時(shí)代

發(fā)表于：3/20/2024

全球工業(yè)機(jī)器人龍頭ABB積極布局AI

全球工業(yè)機(jī)器人龍頭ABB積極布局AI 機(jī)構(gòu)看好AI賦能機(jī)器人趨勢(shì)

發(fā)表于：3/20/2024

AMD MI300X即將大量出貨：有望搶下7％AI市場(chǎng)

雖然NVIDIA目前仍是AI芯片市場(chǎng)的霸主,，不過(guò)年中開(kāi)始，挑戰(zhàn)者AMD的最強(qiáng)AI芯片MI300X也即將大批量出貨,，可能將會(huì)搶下部分NVIDIA的市場(chǎng),，并再次影響從晶圓代工到服務(wù)器的AI產(chǎn)品供應(yīng)鏈。根據(jù)日本瑞穗證券報(bào)告,，在目前的AI芯片市場(chǎng),，NVIDIA的市占率高達(dá)95%，“遠(yuǎn)比AMD和英特爾的份額相加還要高”,。 NVIDIA在2023年第四季僅數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)的營(yíng)收就高達(dá)184億美元,，較前一年同期增加了409%。

發(fā)表于：3/19/2024

ARM開(kāi)始提供汽車芯片設(shè)計(jì)方案

ARM開(kāi)始提供汽車芯片設(shè)計(jì)方案,，不想太過(guò)依賴智能手機(jī)市場(chǎng)

發(fā)表于：3/19/2024

英偉達(dá)發(fā)布全球首款人型機(jī)器人模型

英偉達(dá)發(fā)布全球首款人型機(jī)器人模型,！正式進(jìn)軍人形機(jī)器人行業(yè) 3月19日消息，在英偉達(dá)年度 GTC 開(kāi)發(fā)者大會(huì)上,，黃仁勛宣布推出推出了Project GR00T人型機(jī)器人項(xiàng)目,，其中就包括全球首款人型機(jī)器人基礎(chǔ)模型。黃仁勛表示,，基于GR00T人型機(jī)器人基礎(chǔ)模型,，可以實(shí)現(xiàn)通過(guò)語(yǔ)言、視頻和人類演示,，來(lái)理解自然語(yǔ)言,，模仿人類動(dòng)作，進(jìn)而快速學(xué)習(xí)協(xié)調(diào)性,、靈活性以及其他的技能,，進(jìn)而能夠融入現(xiàn)實(shí)世界并與人類進(jìn)行互動(dòng)。

發(fā)表于：3/19/2024

一文讀懂英偉達(dá)GTC

一文讀懂英偉達(dá)GTC：黃仁勛曬“AI核彈”,，人型機(jī)器人模型也來(lái)了

發(fā)表于：3/19/2024

2nm時(shí)代來(lái)臨：ASML發(fā)布第三代EUV光刻機(jī)

發(fā)表于：3/18/2024

北京近期將發(fā)布第一代通用開(kāi)放人形機(jī)器人本體

北京近期將發(fā)布第一代通用開(kāi)放人形機(jī)器人本體目標(biāo)規(guī)模 100 億元的北京機(jī)器人產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資基金注冊(cè)落地經(jīng)開(kāi)區(qū),，將助力北京打造世界領(lǐng)先的人形機(jī)器人產(chǎn)業(yè)發(fā)展高地。最近,，北京人形機(jī)器人創(chuàng)新中心傳來(lái)好消息,，近期將發(fā)布第一代通用開(kāi)放人形機(jī)器人本體,。

發(fā)表于：3/18/2024