工業(yè)自動化最新文章 消息稱美國8月將升級對華半導(dǎo)體限制 傳美國將升級對華半導(dǎo)體限制：120個中國實(shí)體將被禁，涉及晶圓廠、設(shè)備商,、EDA廠商,！ 發(fā)表于：2024/8/1 美國研究團(tuán)隊最新研制出存算一體CRAM技術(shù) 7 月 31 日消息，來自明尼蘇達(dá)大學(xué)雙城校區(qū)的研究團(tuán)隊最新研制出計算隨機(jī)存取存儲器（CRAM），可以將 AI 芯片的能耗降至千分之一。 發(fā)表于：2024/8/1 二季度開始Intel每月為NVIDIA生產(chǎn)5000塊晶圓 Intel從二季度開始，每月可為NVIDIA生產(chǎn)5000塊晶圓 發(fā)表于：2024/8/1 消息稱三星電子V9 QLC NAND閃存尚未獲量產(chǎn)就緒許可 7 月 31 日消息,，韓媒 ZDNet Korea 報道稱，三星電子 V9 NAND 閃存的 QLC 版本尚未獲得量產(chǎn)許可,，對平澤 P4 工廠的產(chǎn)線建設(shè)規(guī)劃造成了影響,。 三星電子今年 4 月宣布其 V9 NAND 閃存的 1Tb 容量 TLC 版本實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，對應(yīng)的 QLC 版本則將于今年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段,。 然而直到現(xiàn)在,，三星電子并未對 V9 QLC NAND 閃存下達(dá) PRA（IT之家注：應(yīng)指 Production Readiness Approval）量產(chǎn)就緒許可。而容量更高,、成本更低的 QLC 閃存目前正是 AI 推理服務(wù)器存儲需求的熱點(diǎn),。 明星產(chǎn)品前景不明，使得三星電子內(nèi)部對是否將平澤 P4 工廠第一階段完全用于 NAND 生產(chǎn)存在不同聲音,。 發(fā)表于：2024/8/1 消息指SK海力士400+層閃存明年末量產(chǎn)就緒 消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā),，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒 發(fā)表于：2024/8/1 鼎陽科技發(fā)布SPS6000X寬范圍可編程直流開關(guān)電源新型號 2024年7月30日,，鼎陽科技發(fā)布寬范圍可編程直流開關(guān)電源SPS6000X系列新型號。其單臺輸出功率可達(dá)1.5kW,，并且可以多臺并聯(lián)以進(jìn)一步提高功率容量,，滿足更大電流需求的應(yīng)用場景。 發(fā)表于：2024/7/31 德州儀器推出電源模塊全新磁性封裝技術(shù) 德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）推出六款新型電源模塊,，旨在提升功率密度,、提高效率并降低 EMI。這些電源模塊采用德州儀器專有的 MagPack 集成磁性封裝技術(shù),，與市場上同類產(chǎn)品相比,，尺寸縮小了多達(dá) 23%，支持工業(yè),、企業(yè)和通信應(yīng)用的設(shè)計人員實(shí)現(xiàn)更高的性能水平,。六款新器件中有三款（TPSM82866A、TPSM82866C 和 TPSM82816）是超小型 6A 電源模塊,，可以提供每平方毫米 1A 的電流輸出能力,。 發(fā)表于：2024/7/31 LG化學(xué)將超越杜邦位居OLED材料市場第二名 LG化學(xué)將超越美國杜邦，位居OLED材料市場第二名 發(fā)表于：2024/7/31 消息稱英特爾挖角臺積電工程師 消息稱英特爾挖角臺積電工程師,，芯片代工競爭加劇 發(fā)表于：2024/7/31 英特爾俄亥俄州兩座晶圓廠投資額提升至280億美元 英特爾宣布將俄亥俄州兩座晶圓廠投資額提升至280億美元,！ 發(fā)表于：2024/7/31 工信部發(fā)布2024新版工業(yè)機(jī)器人行業(yè)規(guī)范條件和管理實(shí)施辦法 工信部發(fā)布 2024 新版工業(yè)機(jī)器人行業(yè)規(guī)范條件和管理實(shí)施辦法，8 月起實(shí)施 發(fā)表于：2024/7/31 Alphawave推出業(yè)界首款支持臺積電CoWoS封裝的3nm UCIe IP Alphawave推出業(yè)界首款支持臺積電CoWoS封裝的3nm UCIe IP 發(fā)表于：2024/7/31 迪士尼1.1TiB數(shù)據(jù)通過BeamNG.drive駕駛模擬器MOD被泄露 高管因玩BeamNG.drive駕駛模擬器MOD,，導(dǎo)致迪士尼1.1TiB數(shù)據(jù)泄露 發(fā)表于：2024/7/31 英飛凌在美國ITC對英諾賽科發(fā)起337調(diào)查申請 英飛凌在美國ITC對英諾賽科發(fā)起337調(diào)查申請 發(fā)表于：2024/7/30 歐盟建晶圓廠補(bǔ)貼進(jìn)展緩慢 英特爾和臺積電已經(jīng)根據(jù)美國《芯片與科學(xué)法案》分別獲得85億美元和66億美元的巨額補(bǔ)貼,，用于在美國國內(nèi)建晶圓廠。與此同時,，旨在支持歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的《歐洲芯片法案》卻動作遲緩,，至今英特爾和臺積電的歐洲建廠補(bǔ)貼均未獲批。 邀請英特爾和臺積電投資的德國因歐盟委員會的猶豫不決而面臨延誤,。盡管德國已為英特爾撥款100億歐元，為臺積電撥款50億歐元,，但仍有待歐盟最終批準(zhǔn),。德國官員警告稱，如果得不到及時批準(zhǔn),，英特爾2024年底開工的計劃可能會受到威脅,。 歐盟緩慢的審批程序與美國《芯片法案》形成鮮明對比，后者自2024年初以來迅速撥付補(bǔ)貼,。這種歐洲官僚主義的拖延招致批評,，德國智庫Interface的專家認(rèn)為，由于建設(shè)延誤和挫折,，歐盟在2030年前實(shí)現(xiàn)其半導(dǎo)體市場份額20%的目標(biāo)已經(jīng)越來越難以實(shí)現(xiàn),。 發(fā)表于：2024/7/30 ?…62636465666768697071…?
