finfet 相關(guān)文章(89篇)
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模擬電路設(shè)計(jì)面對(duì)的新挑戰(zhàn)
發(fā)表于：2018/6/13 21:52:00
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垂直GAA晶體管打造最小SRAM
發(fā)表于：2018/5/29 16:39:47
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Mentor 強(qiáng)化支持臺(tái)積電5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝以及晶圓堆疊技術(shù)的工具組合
發(fā)表于：2018/5/4 17:04:18
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三星和格芯力拱，F(xiàn)D-SOI工藝邁向新階段
發(fā)表于：2018/5/1 17:17:24
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獨(dú)占7nm工藝 臺(tái)積電第二季度業(yè)績(jī)將實(shí)現(xiàn)大增長(zhǎng)
發(fā)表于：2018/4/3 5:00:00
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Achronix完成其基于16nm FinFET+工藝的Speedcore eFPGA技術(shù)量產(chǎn)級(jí)測(cè)試芯片的驗(yàn)證
發(fā)表于：2018/1/19 18:36:58
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英特爾發(fā)布行業(yè)首款集成高帶寬內(nèi)存 支持加速的 FPGA
發(fā)表于：2017/12/22 5:00:00
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傳中芯國(guó)際14納米FinFET后年量產(chǎn)
發(fā)表于：2017/12/12 10:15:29
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三星宣布量產(chǎn)第二代10LPP制程
發(fā)表于：2017/11/29 15:29:12
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格芯為高性能應(yīng)用推出全新12納米 FinFET技術(shù)
發(fā)表于：2017/11/8 14:03:25
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臺(tái)積電、ARM等聯(lián)手打造全球首款7nm芯片,，2018年下半年出貨
發(fā)表于：2017/9/19 6:00:00
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FinFET新工藝下的老問(wèn)題,，芯片可靠性如何保證,？
發(fā)表于：2017/9/7 9:27:11
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聯(lián)發(fā)科改弦更張 12nm
發(fā)表于：2017/7/25 5:00:00
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改變封裝會(huì)是未來(lái)芯片的出路嗎,？
發(fā)表于：2017/6/26 15:18:00
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格芯推出面向數(shù)據(jù)中心、機(jī)器學(xué)習(xí)和5G網(wǎng)絡(luò)的7納米專用集成電路平臺(tái)
發(fā)表于：2017/6/14 10:27:00
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格芯交付性能領(lǐng)先的7納米FinFET技術(shù)在即
發(fā)表于：2017/6/14 10:24:00
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IBM攻破5nm工藝 硅的極限在哪里
發(fā)表于：2017/6/7 6:00:00
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IBM推出全球首個(gè)5納米工藝芯片 預(yù)計(jì)2020年量產(chǎn)
發(fā)表于：2017/6/6 15:54:00
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IBM正式宣布5nm芯片制造工藝
發(fā)表于：2017/6/6 8:45:00
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FinFET先進(jìn)工藝引進(jìn),，布局和布線要經(jīng)受重大考驗(yàn)
發(fā)表于：2017/5/5 23:35:00
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Cadence發(fā)布7納米工藝Virtuoso先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)擴(kuò)展平臺(tái)
發(fā)表于：2017/4/18 10:52:00
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12寸晶圓需求為SOI工藝制程爆發(fā)鋪平道路
發(fā)表于：2017/4/17 9:49:00
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三步走穩(wěn)妥推進(jìn)代工業(yè)務(wù)發(fā)展
發(fā)表于：2017/3/10 14:16:00
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中國(guó)突破半導(dǎo)體新工藝 先要從這位美籍華人講起
發(fā)表于：2017/1/5 6:00:00
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高通昨日宣布提供全球首款10納米服務(wù)器處理器商用樣片
發(fā)表于：2016/12/8 13:30:00
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臺(tái)積電將于2017年率先發(fā)布7nm FinFET技術(shù)
發(fā)表于：2016/11/16 9:10:00
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格羅方德：新技術(shù),、新方向，全面布局中國(guó)市場(chǎng)
發(fā)表于：2016/11/1 15:42:00
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FinFET發(fā)明人華人胡正明獲美最高科技獎(jiǎng)
發(fā)表于：2016/5/23 9:19:00
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Custom Compiler開拓視覺輔助自動(dòng)化新紀(jì)元
發(fā)表于：2016/4/21 13:37:00
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聯(lián)華電子與ARM策略聯(lián)盟
發(fā)表于：2016/4/19 11:20:00
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