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EDA與制造相關(guān)文章

美光HBM內(nèi)存能效優(yōu)異迅速成為韓廠威脅

能效優(yōu)異，消息稱美光在 HBM 內(nèi)存領(lǐng)域迅速成為韓廠威脅 6 月 3 日消息，韓媒 ETNews 近日?qǐng)?bào)道指,，在優(yōu)異能效等因素下,，美光正迅速在 HBM 內(nèi)存領(lǐng)域成為 SK 海力士和三星電子兩大韓國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)的威脅。

發(fā)表于：2024/6/3

中國(guó)電子學(xué)會(huì)綠色PC標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

中國(guó)綠色PC標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布！首款酷睿Ultra綠色一體機(jī)減碳超60％

發(fā)表于：2024/6/3

Intel CEO將宴請(qǐng)中國(guó)臺(tái)灣供應(yīng)鏈

Intel CEO將宴請(qǐng)中國(guó)臺(tái)灣供應(yīng)鏈：包括被NVIDIA獨(dú)漏的仁寶電腦

發(fā)表于：2024/6/3

美國(guó)推遲對(duì)中國(guó)進(jìn)口顯卡主板等恢復(fù)征收關(guān)稅

6月1日消息，據(jù)外媒最新報(bào)道稱，美國(guó)推遲對(duì)中國(guó)進(jìn)口的顯卡,、主板等產(chǎn)品征收關(guān)稅，時(shí)間暫定寬限1年,。報(bào)道中提到,，之前美國(guó)貿(mào)易代表（USTR）已通知，白宮將于6月15日對(duì)部分中國(guó)進(jìn)口商品重新啟動(dòng)特朗普時(shí)代的關(guān)稅,。其中,，25%的關(guān)稅將持續(xù)有效至2025年5月31日，但美國(guó)可以選擇更新和延長(zhǎng)關(guān)稅,，但最終他們還是選擇延后,。由于中國(guó)長(zhǎng)期以來(lái)一直是顯卡、主板和許多其他組件的主要生產(chǎn)國(guó),，恢復(fù)征收關(guān)稅有可能抬高產(chǎn)品價(jià)格,。據(jù)美國(guó)金融研究辦公室（Office of the Federal Register OFR)公布的調(diào)查結(jié)果顯示，加增25%的高關(guān)稅會(huì)對(duì)美國(guó)PC市場(chǎng)造成很大損失,。目前沒(méi)有替代的產(chǎn)品,，幾乎都來(lái)自中國(guó)制造，如果強(qiáng)制性加增,，勢(shì)必會(huì)讓美國(guó)的PC玩家以更高價(jià)格才能買(mǎi)到產(chǎn)品,。

發(fā)表于：2024/6/3

X-FAB增強(qiáng)其180納米車(chē)規(guī)級(jí)高壓CMOS代工解決方案

　　中國(guó)北京,，2024年5月21日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺(tái),，增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴(kuò)展SOA,，提高運(yùn)行穩(wěn)健性。

發(fā)表于：2024/5/31

泰瑞達(dá)交付第 8,000 臺(tái) J750 半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)

　　2024年5月21日,，中國(guó) 北京訊 —— 全球先進(jìn)的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商泰瑞達(dá)（NASDAQ:TER）今日宣布,，與獨(dú)立第三方集成電路測(cè)試服務(wù)企業(yè)偉測(cè)科技共同達(dá)成一項(xiàng)里程碑式結(jié)果，暨順利交付第 8,000 臺(tái) J750 半導(dǎo)體測(cè)試平臺(tái),。

發(fā)表于：2024/5/31

2024年度“瑞薩杯”信息科技前沿專(zhuān)題邀請(qǐng)賽火熱開(kāi)賽

　　2024 年 5 月 30 日,，中國(guó)西安訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日與全國(guó)大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽（以下：NUEDC）組織委員會(huì)在西安交通大學(xué)就2024年度“瑞薩杯”信息科技前沿專(zhuān)題邀請(qǐng)賽（以下：AITIC）舉辦簽署合作協(xié)議。值此,，繼2018年以來(lái),，兩年一屆的“瑞薩杯”信息科技前沿專(zhuān)題邀請(qǐng)賽第四屆比賽，正式拉開(kāi)帷幕,。

發(fā)表于：2024/5/31

蘇姿豐暗示AMD將采用三星3nm制程

臺(tái)積電3nm產(chǎn)能被蘋(píng)果等包圓蘇姿豐暗示：AMD將采用三星3nm制程

發(fā)表于：2024/5/31

日本宣布嚴(yán)格管控半導(dǎo)體和機(jī)床等領(lǐng)域

日本宣布嚴(yán)格管控半導(dǎo)體和機(jī)床等領(lǐng)域：防止技術(shù)外漏 5月30日消息,，據(jù)媒體報(bào)道，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省近日宣布,，將在半導(dǎo)體,、先進(jìn)電子零部件、蓄電池,、機(jī)床及工業(yè)機(jī)器人、飛機(jī)零部件等五大關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域?qū)嵤└鼮閲?yán)格的監(jiān)管措施,，以遏制技術(shù)外泄風(fēng)險(xiǎn),。

發(fā)表于：2024/5/31

三星1nm工藝量產(chǎn)計(jì)劃提前至2026年

三星沖刺1nm工藝！量產(chǎn)計(jì)劃提前至2026年

發(fā)表于：2024/5/31

三星兩名芯片工人遭受輻射：造成事故機(jī)器已停用

5月30日消息,，韓國(guó)核安全部門(mén)對(duì)三星電子展開(kāi)了一項(xiàng)重要調(diào)查,，調(diào)查起因是該公司在其一家芯片工廠內(nèi)發(fā)生了一起輻射暴露事件，涉及兩名工人,。這兩名工人因手指出現(xiàn)“異?！钡妮椛浒Y狀被緊急送往醫(yī)院接受專(zhuān)業(yè)治療，目前他們已入院并正在接受更為細(xì)致的醫(yī)學(xué)檢查,。盡管他們的手指呈現(xiàn)輻射暴露的跡象,，但令人困惑的是，常規(guī)血液檢測(cè)結(jié)果顯示正常,。三星電子對(duì)此事件迅速作出反應(yīng),，公開(kāi)承認(rèn)這兩名員工在位于韓國(guó)器興的半導(dǎo)體工廠中“手部意外受到X射線照射”。

發(fā)表于：2024/5/31

ASML High NA EUV光刻機(jī)晶圓制造速度提升150%

ASML High NA EUV光刻機(jī)晶圓制造速度提升150%,，可打印8nm線寬

發(fā)表于：2024/5/31

南亞科技首款1Cnm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)品明年初試產(chǎn)

南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)

發(fā)表于：2024/5/30

消息稱SK海力士將在1c DRAM生產(chǎn)中采用新型光刻膠

5 月 30 日消息,，隨著 DRAM 小型化的不斷推進(jìn),，SK 海力士、三星電子等公司正在致力于新材料的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用,。據(jù) TheElec,，SK Hynix 計(jì)劃在第 6 代（1c 工藝，約 10nm）DRAM 的生產(chǎn)中使用 Inpria 下一代金屬氧化物光刻膠（MOR）,，這是 MOR 首次應(yīng)用于 DRAM 量產(chǎn)工藝,。

發(fā)表于：2024/5/30

十銓公布全球首款10GHz DDR5內(nèi)存

5月30日消息，十銓科技(TeamGroup)宣布將在臺(tái)北電腦展2024上展示一系列存儲(chǔ)產(chǎn)品,，包括超高頻DDR5內(nèi)存,、超緊湊CAMM2內(nèi)存、超高速PCIe 5.0 SSD,，等等,。 DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)誕生之初，就有廠商聲稱可以做到10GHz(10000MHz)以上的頻率,，后來(lái)確實(shí)也能通過(guò)超頻達(dá)到,。十銓旗下電競(jìng)品牌T-Force，通過(guò)獨(dú)家超頻技術(shù),，第一次將DDR5內(nèi)存實(shí)際產(chǎn)品的頻率做到了10000MHz,！這款名為“Xtreem玄境”的DDR5內(nèi)存采用了2mm厚的鋁合金散熱馬甲，鰭片式設(shè)計(jì),，搭配專(zhuān)業(yè)導(dǎo)熱硅脂,，將散熱片與內(nèi)存緊密結(jié)合。外型設(shè)計(jì)則是使用兩片式設(shè)計(jì)的厚實(shí)金屬,，并有噴砂表面處理,，還配上了極具榮耀象征的T-Force LOGO。有趣的是,，十銓提供了粉色,、白色兩種配色風(fēng)格。對(duì)于如此強(qiáng)勁的產(chǎn)品,，“猛男粉”著實(shí)有點(diǎn)出格了,。

發(fā)表于：2024/5/30