EDA與制造相關(guān)文章 ASML：考慮推出通用EUV光刻平臺 覆蓋不同數(shù)值孔徑 ASML 著眼未來：考慮推出通用 EUV 光刻平臺，覆蓋不同數(shù)值孔徑 發(fā)表于：2024/5/23 2024年Gartner Top25供應(yīng)鏈榜單公布 AI 崛起已成定勢：2024 年 Gartner Top 25 供應(yīng)鏈榜單公布，英偉達(dá)首次上榜入圍前十 發(fā)表于：2024/5/23 臺積電：CoWoS和SoIC產(chǎn)能未來三年將增長60%和100% 臺積電：CoWoS 和 SoIC 產(chǎn)能未來三年復(fù)合年增長率將分別達(dá) 60%,、100% 發(fā)表于：2024/5/23 三星3nm芯片下半年量產(chǎn) Galaxy S25全球首發(fā) 對標(biāo)臺積電,！三星3nm芯片下半年量產(chǎn)：Galaxy S25全球首發(fā) 發(fā)表于：2024/5/23 ASML暗示可遠(yuǎn)程癱瘓旗下光刻機(jī) 5月22日消息,，據(jù)外媒報道稱,，ASML聲稱可以遠(yuǎn)程癱瘓旗下售出的光刻機(jī)，這引來網(wǎng)友的圍觀,。 現(xiàn)在,，報道中有給出了更多有趣的細(xì)節(jié)，比如ASML表示可以遠(yuǎn)程癱瘓（remotely disable）相應(yīng)機(jī)器,，包括最先進(jìn)的極紫外光刻機(jī)（EUV）,。 消息人士稱，EUV需要頻繁維護(hù),，如果沒有ASML提供的備件,，這些機(jī)器很快就會停止工作。 發(fā)表于：2024/5/22 三星電子計劃2025年完成4F2 VCT DRAM原型開發(fā) 邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā) 發(fā)表于：2024/5/22 三星計劃用第二代3nm爭取英偉達(dá) 5月21日消息,，據(jù)媒體報道,，三星計劃利用其即將推出的第二代3nm工藝技術(shù)來爭奪英偉達(dá)的芯片代工訂單。 但最新報告顯示,，三星3nm工藝的良率僅為20%,，這可能成為其競爭中的一個重大障礙。 與此形成鮮明對比的是,，臺積電的N3B工藝良率已接近55%,，這使得臺積電在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域保持了其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。 三星的低良率意味著其生產(chǎn)成本將更高,，這可能會削弱其在價格和性能方面與臺積電競爭的能力,。 發(fā)表于：2024/5/22 臺積電計劃到2027年將特種工藝產(chǎn)能擴(kuò)大50% 臺積電在5月中旬舉行的歐洲技術(shù)研討會上透露，隨著在德國和日本新建晶圓廠以及在中國臺灣擴(kuò)大產(chǎn)能,，臺積電計劃到2027年將其特種工藝制程產(chǎn)能擴(kuò)大50%,。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，臺積電不僅需要轉(zhuǎn)換現(xiàn)有產(chǎn)能,，還需要為此新建晶圓廠,。臺積電同時公布下一個特殊制程節(jié)點(diǎn)：N4e，一種4nm級超低功耗工藝節(jié)點(diǎn),。 臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展暨海外運(yùn)營處副總裁張曉強(qiáng)（Kevin Zhang）表示,，“過去臺積電總是對即將建成的晶圓廠進(jìn)行預(yù)先審查再決定，但臺積電很長一段時間以來,，第一次一開始就決定興建專為將來特殊工藝設(shè)計的晶圓廠,，以滿足未來需求。未來4~5年,，臺積電特殊工藝產(chǎn)能將增長至1.5倍，我們將擴(kuò)大制造網(wǎng)絡(luò)的覆蓋范圍,，以提高整個晶圓廠供應(yīng)鏈的彈性,?！?/a> 發(fā)表于：2024/5/22 比利時imec宣布牽頭建設(shè)亞2nm制程N(yùn)anoIC中試線 imec 宣布牽頭建設(shè)亞 2nm 制程 NanoIC 中試線，項(xiàng)目將獲 25 億歐元資金支持 發(fā)表于：2024/5/22 臺積電開始量產(chǎn)特斯拉Dojo AI訓(xùn)練模塊 5 月 21 日消息,，據(jù) DigiTimes,，臺積電宣布開始利用其 InFO_SoW 技術(shù)生產(chǎn)特斯拉 Dojo AI 訓(xùn)練模塊，目標(biāo)是到 2027 年通過更復(fù)雜的晶圓級系統(tǒng)將計算能力提高 40 倍,。 發(fā)表于：2024/5/21 蘋果將獨(dú)占臺積電所有初期2nm工藝產(chǎn)能 蘋果將獨(dú)占臺積電所有初期2nm工藝產(chǎn)能 發(fā)表于：2024/5/21 機(jī)構(gòu)：2024年底前HBM將占先進(jìn)制程比例為35% 機(jī)構(gòu)：2024年底前HBM將占先進(jìn)制程比例為35% 據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce估算,，市場對HBM需求呈現(xiàn)高速增長，加上HBM利潤高,，故三星,、SK海力士及美光國際三大原廠將增加資金投入與產(chǎn)能投片，預(yù)計到今年底前,，HBM將占先進(jìn)制程比例為35%,，其余則用以生產(chǎn)LPDDR5（x）與DDR5產(chǎn)品。 以HBM最新進(jìn)展來看,，TrendForce表示,，今年HBM3e是市場主流，集中下半年出貨,。SK海力士仍是主要供應(yīng)商,，與美光均采用1β nm制程，兩家廠商已出貨英偉達(dá),；三星則采用1α nm制程,，第二季度完成驗(yàn)證，年中交貨,。 發(fā)表于：2024/5/21 臺積電CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能告急 臺積電CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能告急,！根本無法滿足AI GPU需求 發(fā)表于：2024/5/21 13張圖詳細(xì)解讀全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈 13 張圖穿透全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，美國砸錢力扶芯片制造起效果了,？ 發(fā)表于：2024/5/20 Intel：2030年底全球50%半導(dǎo)體都將在美歐生產(chǎn) 英特爾CEO帕特·基辛格在最新發(fā)布的2023-2024年度企業(yè)社會責(zé)任（CSR）報告中,，設(shè)定了一個宏偉目標(biāo)：到2030年底，全球50%的半導(dǎo)體將在美國和歐洲生產(chǎn),。 這一目標(biāo)旨在構(gòu)建一個不畏未來劇變的供應(yīng)鏈,，以應(yīng)對全球供應(yīng)鏈的脆弱性問題。 基辛格表示,，隨著數(shù)字化和人工智能時代的來臨,，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要性日益凸顯。 為了迎接這一挑戰(zhàn),，英特爾推出了專為AI時代設(shè)計的系統(tǒng)級芯片代工服務(wù),，并以可持續(xù)發(fā)展為核心構(gòu)建其業(yè)務(wù)。 據(jù)估計，到2023年,，英特爾在全球運(yùn)營中使用了99%的可再生電力,，并與供應(yīng)商、客戶和行業(yè)同行合作開發(fā)下一代可持續(xù)流程和產(chǎn)品,。 發(fā)表于：2024/5/20 ?…55565758596061626364…?
