EDA與制造相關(guān)文章 三星否認(rèn)自家HBM內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測(cè)試 三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測(cè)試,，“正改善質(zhì)量” 發(fā)表于：2024/5/27 美光科技或向HBM專利持有者支付94億元賠償金 美光科技或向HBM專利持有者支付94億元賠償金 發(fā)表于：2024/5/27 俄羅斯成功制造出首臺(tái)350nm光刻機(jī) 歐美封堵無效,！俄羅斯光刻機(jī)亮相：可生產(chǎn)350nm芯片 7nm也會(huì)拿下 發(fā)表于：2024/5/27 消息稱谷歌與臺(tái)積電合作開發(fā)首款完全定制芯片Tensor G5 消息稱谷歌正與臺(tái)積電合作開發(fā)“首款完全定制芯片”Tensor G5,，將用于 Pixel 10 手機(jī) 發(fā)表于：2024/5/27 消息稱英偉達(dá)首款Windows on Arm處理器將采用英特爾3nm工藝 消息稱英偉達(dá)首款 Windows on Arm 處理器將采用英特爾 3nm 工藝 發(fā)表于：2024/5/27 玻璃基板企業(yè)Absolics將獲美芯片法案至多7500萬美元補(bǔ)貼 材料領(lǐng)域首家,，玻璃基板企業(yè) Absolics 將獲美《芯片法案》至多 7500 萬美元補(bǔ)貼 發(fā)表于：2024/5/27 Rapidus確認(rèn)將在2nm采用0.33NA EUV光刻機(jī) Rapidus 確認(rèn)將在 2nm 采用 0.33NA EUV 光刻機(jī)，已規(guī)劃未來 1.4nm 節(jié)點(diǎn) 5 月 27 日消息,，Rapidus 美國子公司 Rapidus Design Solutions 負(fù)責(zé)人亨利?理查德（Henri Richard）近日表示,，Rapidus 的首代工藝將不采用 High NA EUV 光刻機(jī)。 發(fā)表于：2024/5/27 韓國政府斥資26萬億韓元扶持芯片產(chǎn)業(yè) 韓國政府斥資 26 萬億韓元扶持芯片產(chǎn)業(yè),，三星,、SK 海力士成受益者 發(fā)表于：2024/5/24 臺(tái)積電：2nm節(jié)點(diǎn)進(jìn)展順利 2025下半年推出N3X,、N2 制程 臺(tái)積電：2nm 節(jié)點(diǎn)進(jìn)展順利，2025 下半年推出 N3X,、N2 制程 發(fā)表于：2024/5/24 中芯國際市場(chǎng)份額躍升至全球第三 歷史首次,！中芯國際躍升至全球第三：僅次于臺(tái)積電、三星 發(fā)表于：2024/5/24 臺(tái)積電2024年新建七座工廠 3nm產(chǎn)能同比增三倍仍不足 臺(tái)積電 2024 年新建七座工廠,，3nm 產(chǎn)能同比增三倍仍不足 發(fā)表于：2024/5/24 臺(tái)積電南京廠獲無限期豁免許可 美中貿(mào)易戰(zhàn)從2018年開打,，2022年10月開始美國針對(duì)出口到中國的半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品祭出管制法規(guī)。 而臺(tái)積電南京廠一年期的展延豁免將于5月31日截止,，而臺(tái)積電也在昨（23）日宣布,，已獲美國無限期豁免許可,。 2022年10月美方針對(duì)出口管制法規(guī)管轄的特定高速運(yùn)算芯片等，半導(dǎo)體生產(chǎn)的物項(xiàng)輸往特定國家時(shí),，采取更嚴(yán)格的出口管制要求,。不過三星等韓國半導(dǎo)體廠則獲得在大陸半導(dǎo)體設(shè)備管制的無限期延長豁免，但臺(tái)積電南京子公司僅取得美國政府一年豁免,，引發(fā)各界關(guān)注。 發(fā)表于：2024/5/24 美光在同存儲(chǔ)企業(yè)Netlist的專利訴訟中敗訴 美光在同存儲(chǔ)企業(yè) Netlist 的專利訴訟中敗訴,，面臨 4.45 億美元賠償 發(fā)表于：2024/5/24 SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已接近80% 5 月 23 日消息,，SK 海力士產(chǎn)量主管 Kwon Jae-soon 近日向英國《金融時(shí)報(bào)》表示，該企業(yè)的 HBM3E 內(nèi)存良率已接近 80%,。 發(fā)表于：2024/5/23 ASML正在開發(fā)hyper-NA EUV光刻機(jī) ASML正在開發(fā)hyper-NA EUV光刻機(jī) 發(fā)表于：2024/5/23 ?…54555657585960616263…?
