EDA與制造相關(guān)文章 消息稱三星和AMD簽署價(jià)值4萬億韓元的HBM3E 12H供貨協(xié)議 4 月 24 日消息,，根據(jù)韓媒 Bridge Economy 報(bào)道,，三星和AMD公司簽署了價(jià)值4萬億韓元的 HBM3E 供貨合同,。 發(fā)表于：2024/4/24 消息稱SK海力士HBM4內(nèi)存基礎(chǔ)裸片有望采用臺(tái)積電7nm制程 消息稱 SK 海力士 HBM4 內(nèi)存基礎(chǔ)裸片有望采用臺(tái)積電 7nm 制程 發(fā)表于：2024/4/24 英偉達(dá)將投資2億美元在越南建AI工廠 英偉達(dá)與越南科技巨頭 FPT 達(dá)成合作,，將投資 2 億美元共建 AI 工廠 發(fā)表于：2024/4/24 臺(tái)積電：晶圓廠設(shè)備恢復(fù)率已超過70% 23日地震 臺(tái)積電：晶圓廠設(shè)備恢復(fù)率已超過70% 發(fā)表于：2024/4/24 羅姆集團(tuán)旗下SiCrystal與意法半導(dǎo)體新簽協(xié)議 2024 年 4月22,，中國 – 羅姆 (東京證交所股票代碼: 6963) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域,、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,，簡稱ST,；紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，雙方將在意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm (6英寸) 碳化硅 (SiC) 襯底晶圓多年長期供貨協(xié)議基礎(chǔ)上,，繼續(xù)擴(kuò)大合作,。 發(fā)表于：2024/4/23 三星啟動(dòng)其首批第九代V-NAND閃存量產(chǎn) 三星啟動(dòng)其首批第九代 V-NAND 閃存量產(chǎn) 發(fā)表于：2024/4/23 英特爾High NA EUV光刻機(jī)有望在三代節(jié)點(diǎn)沿用 4 月 22 日消息，英特爾近日宣布完成世界首臺(tái)商用 High NA EUV 光刻機(jī)的安裝,。 而在上周的一場電話會(huì)議上,，英特爾院士馬克?菲利普斯（Mark Phillips）表示這臺(tái)耗資約 3.5 億美元 發(fā)表于：2024/4/23 光刻機(jī)巨頭ASML與荷蘭簽署意向書準(zhǔn)備擴(kuò)建 4月23日消息，荷蘭對光刻機(jī)巨頭阿斯麥離開的消息感到十分擔(dān)憂,，但現(xiàn)在情況有了明顯的好轉(zhuǎn),。 根據(jù)外媒報(bào)道，荷蘭芯片設(shè)備制造商阿斯麥公司已與荷蘭埃因霍溫市簽署了一份意向書,，計(jì)劃在該市北部機(jī)場附近進(jìn)行擴(kuò)建,，預(yù)計(jì)將能夠容納多達(dá)20000名新員工。 此前,，荷蘭政府宣布了一項(xiàng)價(jià)值25億歐元的計(jì)劃,，將在未來幾年內(nèi)用于改善阿斯麥總部所在地的住房、教育,、交通和電網(wǎng)等基礎(chǔ)設(shè)施,。 除了基礎(chǔ)設(shè)施改善外，荷蘭政府還將采取行動(dòng)來減輕企業(yè)的稅收負(fù)擔(dān),。 此前,，阿斯麥曾向荷蘭政府表達(dá)了向其他地方擴(kuò)張或遷移的意向，其中法國和美國都是備選地點(diǎn),。 發(fā)表于：2024/4/23 蘋果公布2023財(cái)年供應(yīng)鏈名單 4 月 22 日消息,，蘋果公司在其官網(wǎng)公布了 2023 財(cái)年供應(yīng)鏈名單，該名單中的公司包含了蘋果在 2023 財(cái)年全球產(chǎn)品材料,、制造和組裝方面的 98% 直接支出,。 發(fā)表于：2024/4/23 裁員,、撤離,、轉(zhuǎn)移，芯片大廠在害怕什么,？ 裁員,、撤離、轉(zhuǎn)移,，芯片大廠在害怕什么,？ 發(fā)表于：2024/4/23 英特爾與美國國防部深化合作采用18A工藝生產(chǎn)芯片 4 月 23 日消息，美國芯片制造商英特爾與美國國防部進(jìn)一步加深合作,，共同研發(fā)全球最先進(jìn)的芯片制造工藝,，這項(xiàng)合作是雙方在兩年半前簽署的“快速可靠微電子原型”（RAMP-C）項(xiàng)目的第一階段基礎(chǔ)上拓展而來的。 發(fā)表于：2024/4/23 中國半導(dǎo)體產(chǎn)量創(chuàng)歷史新高 成熟制程芯片占主導(dǎo) 4月22日消息,，中國第一季度半導(dǎo)體產(chǎn)量激增40%,，標(biāo)志著成熟制程芯片在中國市場的主導(dǎo)地位日益鞏固。 根據(jù)中國國家統(tǒng)計(jì)局公布的最新數(shù)據(jù),，僅三月份全國集成電路產(chǎn)量就高達(dá)362億片,，同比增長28.4%，創(chuàng)下歷史新高,。 這一驚人增長的背后，新能源汽車等下游行業(yè)的強(qiáng)勁需求功不可沒,。 發(fā)表于：2024/4/22 消息稱三星電子NAND產(chǎn)量大增 開工率重回90%高位 消息稱三星電子NAND產(chǎn)量大增 開工率重回90%高位 發(fā)表于：2024/4/22 安卓進(jìn)入3nm時(shí)代！高通驍龍8 Gen4首次采用3nm工藝 4月20日消息,，數(shù)碼閑聊站透露，高通驍龍8 Gen4將首次采用臺(tái)積電3nm工藝,，這意味著安卓陣營正式邁入3nm時(shí)代,。 早在去年，蘋果率先切入3nm工藝,，首顆3nm芯片是A17 Pro,，由iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max首發(fā)搭載。 據(jù)悉,，臺(tái)積電規(guī)劃了多達(dá)五種3nm工藝,，分別是N3B、N3E,、N3P,、N3S和N3X，其中N3B是其首個(gè)3nm節(jié)點(diǎn),，A17 Pro使用的便是N3B,。 今年10月份登場的驍龍8 Gen4將會(huì)采用臺(tái)積電第二代3nm工藝N3E，N3E是N3B的增強(qiáng)版,，其功耗表現(xiàn)優(yōu)于N3B工藝,，并且良率更高、成本也相對較低。 另外,，高通驍龍8 Gen4將會(huì)啟用自研的Nuvia架構(gòu),，不再使用Arm公版架構(gòu)方案，這將是高通驍龍5G SoC史上的一次重大變化,。 數(shù)碼閑聊站透露,，目前高通驍龍8 Gen4性能極強(qiáng)，但是因?yàn)轭l率設(shè)定過高,，功耗表現(xiàn)一般,，預(yù)計(jì)量產(chǎn)時(shí)頻率會(huì)降低。 發(fā)表于：2024/4/22 英特爾率先完成組裝ASML新一代光刻機(jī) 2nm以下芯片必備,！英特爾率先完成組裝ASML新一代光刻機(jī) 發(fā)表于：2024/4/19 ?…61626364656667686970…?
