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EDA與制造相關(guān)文章

消息稱三星電子8層堆疊HBM3E內(nèi)存尚未正式通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證

消息稱三星電子 8 層堆疊 HBM3E 內(nèi)存尚未正式通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證

發(fā)表于：2024/5/14

消息稱SK海力士三星電子陸續(xù)停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

消息稱 SK 海力士,、三星電子陸續(xù)停產(chǎn) DDR3 內(nèi)存,，帶動(dòng)市場(chǎng)價(jià)格上行

發(fā)表于：2024/5/13

華為牽頭貢獻(xiàn)開(kāi)源代碼的OGG 1.0正式發(fā)布

5月12日消息,，數(shù)字化工業(yè)軟件聯(lián)盟（DISA）宣布，由其孵化的開(kāi)源項(xiàng)目OGG 1.0開(kāi)源幾何建模引擎已正式發(fā)布,。 OGG旨在為全球工業(yè)軟件提供第二選擇,，特別是在3D幾何建模領(lǐng)域。同時(shí)華為已將486項(xiàng)增強(qiáng)后的幾何內(nèi)核代碼全部開(kāi)源到OGG社區(qū),。 DISA秘書長(zhǎng)丘水平表示,，OGG基于全球唯一具有工程價(jià)值的開(kāi)源內(nèi)核OCCT，發(fā)展新一代工業(yè)軟件內(nèi)核,，被視為確保工業(yè)軟件連續(xù)可控的戰(zhàn)略選擇。

發(fā)表于：2024/5/13

全球政府正在瘋狂補(bǔ)貼半導(dǎo)體

以美國(guó)和歐盟為首的超級(jí)大國(guó)已投入近 810 億美元用于生產(chǎn)下一代半導(dǎo)體,，加劇了與中國(guó)爭(zhēng)奪芯片霸主地位的全球攤牌,。這是世界各國(guó)政府為英特爾公司和臺(tái)積電等公司撥出的第一批近 3800 億美元的資金，用于提高更強(qiáng)大的微處理器的生產(chǎn),。這一激增將華盛頓主導(dǎo)的與北京在尖端技術(shù)方面的競(jìng)爭(zhēng)推向了一個(gè)關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn),，這將塑造全球經(jīng)濟(jì)的未來(lái)。蘭德公司高級(jí)中國(guó)及戰(zhàn)略技術(shù)顧問(wèn)吉米·古德里奇（Jimmy Goodrich）表示：“毫無(wú)疑問(wèn),，我們?cè)谂c中國(guó)的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)方面已經(jīng)越過(guò)了盧比孔河,，特別是在半導(dǎo)體領(lǐng)域?！?雙方基本上已將此作為國(guó)家首要戰(zhàn)略目標(biāo)之一,。

發(fā)表于：2024/5/13

新思科技面向臺(tái)積公司先進(jìn)工藝加速下一代芯片創(chuàng)新

加利福尼亞州桑尼維爾，2024年5月11日 – 新思科技（Synopsys, Inc.,，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日宣布,，攜手臺(tái)積公司在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)開(kāi)展廣泛的EDA和IP合作，這些合作成果已應(yīng)用于一系列人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）和移動(dòng)設(shè)計(jì)中,。其中雙方的最新合作是共同優(yōu)化的光子集成電路（PIC）流程,，使硅光子技術(shù)應(yīng)用賦能更高功率、性能和晶體管密度的需求,。

發(fā)表于：2024/5/11

Intel 14A工藝至關(guān)重要 2025年之后穩(wěn)定領(lǐng)先

這幾年,，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺(tái)積電,，重奪領(lǐng)先地位,，現(xiàn)在又重申了這一路線，尤其是意欲通過(guò)未來(lái)的14A 1.4nm級(jí)工藝,，在未來(lái)鞏固自己的領(lǐng)先地位,。目前，Intel正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo),，Intel 7工藝,、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

發(fā)表于：2024/5/11

國(guó)內(nèi)首款2Tb/s 3D集成硅光芯粒成功出樣

國(guó)內(nèi)首款2Tb/s 3D集成硅光芯粒成功出樣,！華為,、英偉達(dá)等巨頭都在押注

發(fā)表于：2024/5/10

中芯國(guó)際營(yíng)收超越聯(lián)電格芯成為全球第二

首次！中芯國(guó)際營(yíng)收超越聯(lián)電,、格芯成為全球第二

發(fā)表于：2024/5/10

SK海力士系統(tǒng)IC將出售無(wú)錫晶圓廠49.9%股權(quán)

SK海力士系統(tǒng)IC將出售無(wú)錫晶圓廠49.9%股權(quán)

發(fā)表于：2024/5/10

消息稱三星電子已提前組建1dnm內(nèi)存技術(shù)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)

消息稱三星電子已提前組建 1dnm 內(nèi)存技術(shù)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì),，目標(biāo)重建優(yōu)勢(shì)

發(fā)表于：2024/5/10

SEMI：全球一季度硅晶圓出貨量28.34億平方英寸

SEMI：全球一季度硅晶圓出貨量 28.34 億平方英寸，環(huán)比下滑 5.4%

發(fā)表于：2024/5/10

美國(guó)最新報(bào)告：2032年美國(guó)將掌控28%先進(jìn)制程產(chǎn)能

5月9日消息,，根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)（SIA）和波士頓顧問(wèn)公司（BCG）的最新報(bào)告,，隨著美國(guó)“芯片法案”的推動(dòng)，預(yù)計(jì)到2032年,，美國(guó)在全球10nm以下先進(jìn)制程芯片制造中的份額將達(dá)到28%,，而中國(guó)大陸的占比可能僅為3%。美國(guó)政府在2022年通過(guò)的《芯片與科學(xué)法案》中,，安排了390億美元用于補(bǔ)貼在美國(guó)建廠生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的項(xiàng)目,，旨在減少對(duì)亞洲供應(yīng)鏈的依賴，并提升本土制造能力,。報(bào)告預(yù)計(jì),，到2032年，美國(guó)的晶圓廠產(chǎn)能將增加203%,，即三倍于2022年的產(chǎn)能,，且在全球晶圓廠產(chǎn)能中的份額將從10%增長(zhǎng)到14%。報(bào)告還強(qiáng)調(diào),，美國(guó)不僅將在產(chǎn)能上增長(zhǎng),，還將在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域，如前沿制造、DRAM內(nèi)存,、模擬和先進(jìn)封裝等方面增強(qiáng)能力,。特別是，美國(guó)在先進(jìn)邏輯產(chǎn)能方面的全球份額將實(shí)現(xiàn)顯著提升,。

發(fā)表于：2024/5/10

SK海力士宣布開(kāi)發(fā)新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0

5 月 9 日消息,，SK 海力士公司今日宣布，公司開(kāi)發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI 的移動(dòng)端 NAND 閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS（Zoned UFS）4.0”,。

發(fā)表于：2024/5/9

三星電機(jī)加速玻璃基板開(kāi)發(fā)

5 月 9 日消息,，韓媒 ETNews 援引消息人士的話稱，三星電機(jī)半導(dǎo)體玻璃基板中試線建設(shè)完成時(shí)間已提前至 9 月,，相較原定的年底完工目標(biāo)提前了一個(gè)季度,。相較于現(xiàn)有的有機(jī)基板，玻璃基板在電氣性能,、耐熱性能等方面存在較大優(yōu)勢(shì),，可進(jìn)一步降低厚度。玻璃基板也使玻璃通孔（Through Glass Via,，簡(jiǎn)稱 TGV）等新型電路連接成為可能,，尤其適合 HPC、AI 領(lǐng)域的芯片,。

發(fā)表于：2024/5/9

ASML最先進(jìn)光刻機(jī)今年產(chǎn)能被英特爾買完

5月8日消息,，ASML最先進(jìn)EUV光刻機(jī)今年訂單已經(jīng)被Intel包攬，其單臺(tái)售價(jià)超過(guò)了25億元,。據(jù)悉,，ASML截至明年上半年最先進(jìn)EUV設(shè)備的訂單已經(jīng)由英特爾承包，而今年計(jì)劃生產(chǎn)的五套設(shè)備也將全部運(yùn)給這家美國(guó)芯片制造商,。按照消息人士的說(shuō)法,，由于上述EUV設(shè)備產(chǎn)能每年約為5到6臺(tái)，這意味著英特爾將獲得所有初始庫(kù)存,。這也導(dǎo)致,，英特爾的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星和 SK 海力士預(yù)計(jì)將在明年下半年才能獲得該設(shè)備,。

發(fā)表于：2024/5/8