EDA與制造相關(guān)文章 ASML前CEO：在中國的浸沒式DUV光刻機(jī)維護(hù)將受限,！ 荷蘭光刻機(jī)大廠ASML在年度股東大會(huì)上宣布，ASML原首席執(zhí)行官Peter Wennink（溫寧克）和原首席技術(shù)官M(fèi)artin van den Brink正式退休,，ASML原首席運(yùn)營官（COO）、法國籍的Christophe Fouquet正式成為ASML新的總裁兼首席執(zhí)行官,。 ASML前CEO：在中國的浸沒式DUV光刻機(jī)維護(hù)將受限,！ 發(fā)表于：2024/4/28 消息稱三星明年推出三重堆疊技術(shù)的第10代NAND 普及 100TB SSD，消息稱三星明年推出第 10 代 NAND：三重堆疊技術(shù),，最高 430 層 發(fā)表于：2024/4/28 臺(tái)積電計(jì)劃2027推出12個(gè)HBM4E堆棧的120x120mm芯片 臺(tái)積電升級(jí) CoWoS 封裝技術(shù),，計(jì)劃 2027 推出 12 個(gè) HBM4E 堆棧的 120x120mm 芯片 發(fā)表于：2024/4/28 比亞迪是中國最大的電子代工廠 4月28日消息，據(jù)國內(nèi)媒體報(bào)道,，日前,，在2024中關(guān)村論壇年會(huì)上，比亞迪儲(chǔ)能及新型電池事業(yè)部副總經(jīng)理王皓宇介紹： 很多人認(rèn)為比亞迪是個(gè)車企,，其實(shí)不僅僅是這樣,，目前市場上的智能手機(jī),，包括華為、小米手機(jī)實(shí)際上大部分是比亞迪生產(chǎn)的,。 相當(dāng)于“腦子”是華為設(shè)計(jì)的,，而硬件全是比亞迪生產(chǎn)的，蘋果的平板電腦,、手機(jī)以及很多電子元器件都是比亞迪生產(chǎn)的,。 發(fā)表于：2024/4/28 意法半導(dǎo)體突破20納米技術(shù)節(jié)點(diǎn) 首款采用新技術(shù)的 STM32 微控制器將于 2024 下半年開始向部分客戶出樣片 · 18nm FD-SOI制造工藝與嵌入式相變存儲(chǔ)器(ePCM)組合，實(shí)現(xiàn)性能和功耗雙飛 發(fā)表于：2024/4/26 美光獲得美國至多61.4億美元直接補(bǔ)貼和75億美元貸款 4 月 25 日消息,，美國政府近日宣布,，根據(jù)雙方簽訂的不具約束力的初步備忘錄，美國政府將根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》向美光提供至多 61.4 億美元 發(fā)表于：2024/4/26 臺(tái)積電宣布背面供電版N2制程2025下半年向客戶推出 4 月 25 日消息,，臺(tái)積電在近日公布的 2023 年報(bào)中表示,，其背面供電版 N2 制程節(jié)點(diǎn)定于 2025 下半年向客戶推出，2026 年實(shí)現(xiàn)正式量產(chǎn),。 臺(tái)積電表示其 N2 制程將引入其 GAA 技術(shù)實(shí)現(xiàn) —— 納米片（Nanosheet）結(jié)構(gòu),，在性能和能效方面都提升一個(gè)時(shí)代，預(yù)計(jì)于 2025 年啟動(dòng)量產(chǎn),。 而引入背面電軌（Backside Power Rail）方案的 N2 衍生版本“最適用于高效能運(yùn)算相關(guān)應(yīng)用”,，將在標(biāo)準(zhǔn)版 N2 后投入商用。 發(fā)表于：2024/4/26 SK海力士將在年內(nèi)推出1bnm 32Gb DDR5內(nèi)存顆粒 SK 海力士將在年內(nèi)推出 1bnm 32Gb DDR5 內(nèi)存顆粒 發(fā)表于：2024/4/26 臺(tái)積電公布先進(jìn)工藝進(jìn)展：N3P 制程今年下半年量產(chǎn) 4 月 25 日消息,，臺(tái)積電在 2023 年報(bào)中公布了包括先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝在內(nèi)的業(yè)務(wù)情況 發(fā)表于：2024/4/26 臺(tái)積電系統(tǒng)級(jí)晶圓技術(shù)將迎重大突破 4月26日消息,，臺(tái)積電在系統(tǒng)級(jí)晶圓技術(shù)領(lǐng)域即將迎來一次重大突破。 臺(tái)積電宣布,，采用先進(jìn)的CoWoS技術(shù)的芯片堆疊版本預(yù)計(jì)將于2027年全面準(zhǔn)備就緒,。這一技術(shù)的出現(xiàn)，標(biāo)志著臺(tái)積電在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的又一次重要?jiǎng)?chuàng)新,。 發(fā)表于：2024/4/26 SK海力士：12層堆疊HBM3E開發(fā)三季度完成 SK 海力士：12 層堆疊 HBM3E 開發(fā)三季度完成,，下半年整體內(nèi)存供應(yīng)可能面臨不足 發(fā)表于：2024/4/26 消息稱三星電子探索邏輯芯片混合鍵合 4 月 24 日消息，據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道,，三星電子正探索將混合鍵合技術(shù)用于邏輯芯片,，最早 2026 年推出采用 3D 封裝的 2nm 移動(dòng)端處理器。 發(fā)表于：2024/4/25 臺(tái)積電宣布A16芯片制造技術(shù)將于2026年量產(chǎn) 臺(tái)積電宣布A16芯片制造技術(shù)將于 2026 年量產(chǎn),，劍指芯片性能王座 發(fā)表于：2024/4/25 SK海力士計(jì)劃投資5.3萬億韓元再建一座DRAM工廠 SK海力士計(jì)劃投資5.3萬億韓元再建一座DRAM工廠 發(fā)表于：2024/4/25 美國政府近日宣布斥資110億美元設(shè)立研發(fā)中心 4 月 25 日消息,，美國政府近日宣布斥資 110 億美元（當(dāng)前約 798.6 億元人民幣），設(shè)立專門的研發(fā)中心,，推進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域的相關(guān)研究,。 發(fā)表于：2024/4/25 ?…60616263646566676869…?
